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GE6060

GE6060

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Product Details

N 400V 350V 20A 40MN TO3

N 400V 350V 20A 40MN TO3

Specifications

  • Collector–Base Voltage (VCBO): 400 V
  • Collector–Emitter Voltage (VCEO): 350 V
  • Emitter–Base Voltage (VEBO): 5 V
  • Collector Current (IC): 20 A continuous
    • Peak repetitive: 25 A
    • Non-repetitive pulse: 42.5 A
  • Total Power Dissipation (PC): 125 W
  • Junction & Storage Temperature (TJ, Tstg): –65 °C to +150 °C

Additional Information

CatGroup Transistor
Device Transistor